امتیاز و مشخصات پردازنده Snapdragon 8 Elite Gen 2 فاش شد

به تازگی، جزئیاتی از مشخصات فنی تراشه مورد انتظار Snapdragon 8 Elite Gen 2 به بیرون درز کرده است که نشان می‌دهد این پردازنده موبایل، یک جهش قابل توجه در عملکرد نسبت به نسل پیشین خود خواهد بود. علاوه بر این، گزارش‌ها حاکی از آن است که پردازنده گرافیکی جدید Adreno 840 که همراه با Elite Gen 2 در سال جاری میلادی عرضه خواهد شد، از سرعت کلاک بالاتری نیز بهره خواهد برد.

Snapdragon 8 Elite Gen 2 به نظر می‌رسد که در تمامی جنبه‌های عملکردی، شاهد ارتقاء چشمگیری خواهد بود. بر اساس اطلاعات فاش شده، این تراشه تقریباً به میزان یکسانی، قدرت پردازشی تک هسته‌ای و چند هسته‌ای را افزایش خواهد داد. در مقایسه با نسل قبلی، Snapdragon 8 Elite Gen 2 در زمینه‌های زیر بهبودهای قابل توجهی را ارائه می‌دهد:

• عملکرد تک هسته‌ای: امتیاز تخمینی 4,000 در Geekbench، که نشان‌دهنده افزایش قابل توجهی نسبت به امتیاز 3,200 نسل قبلی است. این ارتقاء به معنای اجرای سریع‌تر و روان‌تر برنامه‌ها و وظایف روزمره خواهد بود.
• عملکرد چند هسته‌ای: امتیاز تخمینی 13,000 در Geekbench، که در مقایسه با امتیاز 10,300 نسل قبلی، یک پیشرفت چشمگیر را نشان می‌دهد. این افزایش قدرت پردازشی چند هسته‌ای، برای اجرای برنامه‌های سنگین، بازی‌های پیشرفته و انجام چند وظیفه به طور همزمان، بسیار حائز اهمیت خواهد بود.
• سرعت کلاک پردازنده گرافیکی Adreno 840: انتظار می‌رود این پردازنده گرافیکی با سرعت کلاک 1.35 گیگاهرتز عرضه شود که در مقایسه با سرعت 1.1 گیگاهرتز Adreno 830 موجود در نسل قبلی، یک ارتقاء قابل توجه محسوب می‌شود. این افزایش سرعت کلاک، به طور مستقیم بر عملکرد گرافیکی دستگاه در اجرای بازی‌ها، برنامه‌های ویرایش ویدیو و سایر برنامه‌های گرافیکی سنگین تأثیر مثبت خواهد گذاشت.

این امتیازهای فاش شده، نشان دهنده افزایش قدرت 25 درصدی در عملکرد تک هسته‌ای و 20 درصدی در عملکرد چند هسته‌ای نسبت به نسل قبلی هستند. این میزان افزایش عملکرد، می‌تواند تجربه کاربری را به طور قابل توجهی بهبود بخشد و امکان اجرای برنامه‌ها و بازی‌های سنگین‌تر و پیچیده‌تر را با سرعت و روانی بیشتری فراهم کند.

در حال حاضر، به نظر می‌رسد که اجماع کلی در صنعت بر این است که Snapdragon 8 Elite Gen 2 با استفاده از فرآیند ساخت 3 نانومتری تولید خواهد شد. این فرآیند ساخت پیشرفته، امکان قرار دادن تعداد بیشتری ترانزیستور در یک فضای کوچکتر را فراهم می‌کند که منجر به افزایش قدرت پردازشی و بهبود کارایی انرژی می‌شود. در حالی که گزارش‌هایی مبنی بر قابل استفاده بودن نرخ بازده فرآیند 2 نانومتری شرکت TSMC (بزرگترین تولید کننده قراردادی تراشه در جهان) منتشر شده است، کوالکام به دلایل نامشخصی، فعلاً تصمیم گرفته است تا از فرآیند 3 نانومتری برای تولید این تراشه استفاده کند. این تصمیم ممکن است به دلایل اقتصادی یا فنی اتخاذ شده باشد.

اگرچه بهبودهای عملکردی ذکر شده، خبر بسیار خوبی برای مصرف‌کنندگان و تولیدکنندگان گوشی‌های هوشمند به شمار می‌رود، اما هنوز مشخص نیست که آیا گزارش‌های اولیه در مورد احتمال افزایش قیمت این تراشه توسط کوالکام صحت دارند یا خیر. این موضوع، به ویژه با در نظر گرفتن تعرفه‌های تجاری وضع شده توسط رئیس جمهور سابق ایالات متحده، می‌تواند منجر به افزایش قیمت نهایی گوشی‌های هوشمندی شود که از این تراشه استفاده می‌کنند. به این ترتیب، احتمالاً Snapdragon 8 Elite Gen 2 در بازار ایالات متحده با قیمت نسبتاً بالایی عرضه خواهد شد. با این حال، تصمیم کوالکام برای استفاده از فرآیند 3 نانومتری در حال حاضر، ممکن است تا حدودی به کنترل و کاهش هزینه‌های تولید کمک کند.