چالش‌های سامسونگ برای تولید چیپست؛ بازدهی تراشه‌ها پایین است

سامسونگ فاندری به عنوان یکی از رقبای اصلی TSMC در صنعت تولید تراشه، پتانسیل قابل توجهی دارد که می‌توانست به مزیت‌های قابل توجهی در زمینه تولید نیمه‌هادی‌های ۳ نانومتری تبدیل شود. این مزیت اصلی به استفاده سامسونگ از ترانزیستورهای Gate-All-Around (GAA) به جای ترانزیستورهای کلاسیک FinFET مربوط می‌شود. این نوع ترانزیستورها به طور عمودی قرار گرفته و از چهار سمت کانال را احاطه می‌کنند، که این ویژگی باعث کاهش نشت جریان و افزایش توان خروجی می‌شود. نتیجه این فناوری پیشرفته، تولید سیستم‌های روی تراشه (SoC) است که معمولاً عملکردی بهتر و مصرف انرژی کمتری نسبت به رقبای خود دارند. 

با این وجود، سامسونگ به رغم این مزیت‌های تکنولوژیکی، با چالش‌های جدی روبه‌رو است. در حالی که انتظار می‌رفت نسل دوم گره ۳ نانومتری سامسونگ به دلیل استفاده از ترانزیستورهای GAA نسبت به TSMC جلوتر باشد، عملکرد ضعیف این شرکت در میزان تولید پذیرفته شده (Yield) باعث شده تا اوضاع به گونه‌ای دیگر رقم بخورد. میزان تولید پذیرفته شده به درصد تراشه‌های معیاری اشاره دارد که پس از عبور از کنترل کیفیت، به حداکثر تعداد تراشه‌هایی که می‌توان از یک ویفر سیلیکونی تولید کرد، می‌رسد. سامسونگ پیش‌بینی کرده بود که میزان تولید پذیرفته شده در گره ۳ نانومتری به ۷۰ درصد برسد، اما در عمل، این آمار تنها بین ۵۰ تا ۶۰ درصد بوده است. این رقم برای جلب اعتماد طراحان تراشه، به ویژه در مقابل رقیبی مانند TSMC که سابقه‌ای قوی در کیفیت تولید دارد، کافی نبود. 

علاوه بر این، وضعیت برای نسل دوم گره ۳ نانومتری حتی از این هم بدتر شد و میزان تولید پذیرفته شده به ناامیدکننده ۲۰ درصد کاهش یافت. این کاهش شدید در کیفیت تولید، طراحان تراشه را به سوی TSMC روانه کرد، چرا که این شرکت توانسته است به صورت پیوسته و با کیفیت بالا، تراشه‌های خود را تولید کند. تأمین قدرت پردازنده Snapdragon 8 Elite که قرار است در گوشی Galaxy S25 Ultra در سال آینده به کار گرفته شود، نتیجه این رویکرد است. حتی برخی از طراحان تراشه‌های کره‌ای که تا پیش از این به سامسونگ اعتماد کرده بودند، اکنون به سمت TSMC گرایش پیدا کرده‌اند. 

به نظر می‌رسد به دلیل مشکلات پیش آمده در میزان تولید پذیرفته شده، سامسونگ به سرعت در حال حرکت به سمت گره ۲ نانومتری خود است. طبق شایعاتی که منتشر شده، این شرکت در حال کار روی یک تراشه Exynos بدون نام در گره ۲ نانومتری (SF2P) است. این تراشه که با نام رمز 'Ulysses' شناخته می‌شود، انتظار می‌رود در یکی از مدل‌های آینده Galaxy S27 که به احتمال زیاد در سال ۲۰۲۷ رونمایی خواهد شد، معرفی گردد. این حرکت می‌تواند نشان دهنده تلاش‌های سامسونگ برای بازگرداندن اعتماد طراحان تراشه و افزایش کیفیت تولید در واحد فاندری خود باشد. 

در نهایت، با توجه به تغییرات در بازار و دنیای فناوری، به وضوح مشخص است که چالش‌های پیش رو برای سامسونگ فاندری نیازمند استراتژی‌های نوآورانه و ارتقاء کیفیت تولید است. در این صورت می‌تواند از رقبای قوی خود مانند TSMC فاصله بگیرد و سهم بیشتری از بازار را از آن خود کند.