سامسونگ به زودی تولید انبوه چیپستهای ۳ نانومتری اگزینوس را آغاز میکند
شرکت سامسونگ در بیانهای خبری اعلام کرده که در آستانه آغاز پروسه تولید انبوه چیپستهای ۳ نانومتری اگزینوس است.
شرکت سامسونگ در سال ۲۰۲۲، تولید چیپستهای ۳ نانومتری را آغاز کرد و رقیب خود یعنی TSMC را پشت سر گذاشت. سامسونگ به تازگی اعلام کرده است که پروسه تولید انبوه این چیپستها در آینده نزدیک آغاز خواهد شد.
سامسونگ در کنار یکی از شرکای خود به نام «Synopsys»، بیانیهای خبری را منتشر کرده است که به برنامههای این دو شرکت برای آغاز تولید انبوه چیپستهای ۳ نانومتری اگزینوس اشاره میکند. سامسونگ اکنون در مراحل نهایی طراحی چیپستهای جدید خود به سر میبرد و نمونههایی را نیز برای تولید انبوه در اختیار کارخانههای خود قرار داده است.
شرکت «Synopsys» در زمینه طراحی قطعات الکترونیکی فعالیت میکند و سامسونگ برای کاهش زمان تولید و بهبود عملکرد چیپستهای خود، با این شرکت وارد همکاری شده است. با وجودی که سامسونگ پیشتر نیز چیپستهایی با لیتوگرافی ۳ نانومتری را تولید کرده بود؛ این نسل جدید نقش پیچیدهترین و قدرتمندترین چیپستهای ۳ نانومتری این شرکت را دارند. این چیپستها با فرآیند انحصاری Gate All Around (GAA) سامسونگ ساخته خواهند شد.
بیانیه خبری سامسونگ اشارهای به محصولات عرضه شده با این چیپستها ندارد؛ اما احتمالا این شرکت بار دیگر شانس خود برای استفاده از چیپستهای اگزینوس در محصولات پرچمدار را امتحان میکند و بعید نیست که در سری گلکسی اس ۲۵، شاهد استفاده از این چیپستهای ۳ نانومتری با نام اگزینوس ۲۵۰۰ باشیم.
برچسبها: